背景
最近遇到一个内存被破坏的死机问题，一开始排查以为是应用程序踩内存导致 heap 被破坏，后面排查发现是内存中某一个比特位发生翻转，由 0 变成 1，或者由 1 变成 0，导致程序读取数据异常触发死机，最后靠提供 pSRAM 的刷新率来规避该问题。在解决这个问题的过程中了解到 DRAM 的 “Row Hammer” 现象，我也是第一次遇到，做一下知识总结。
什么是 “Row Hammer” 现象？
“Row Hammer” 翻译过来叫 “行锤”，是目前所有 DRAM 类型存储器存在的一个硬件问题。“Row Hammer” 现象是指对 DRAM 的某一行内存高频率地反复进行读写，会对其相邻行内存造成冲击。如果在一个刷新周期内对同一个内存单元读写超过了一定次数，那么可能导致相邻的内存单元的位状态改变，从而造成数据丢失和损坏，这并不是永久性的内存数据破坏，正常情况下，下一次刷新时间到了，可以恢复原来正常数据状态。
“Row Hammer” 产生的原因
随着 DRAM 制造工艺的发展，DRAM 的存储密度不断增大，内存单元体积也不断缩小，其存储的电荷数量也随之减小，内存单元之间噪声容限降低，导致相互独立的 2 个内存单元之间的电荷相互影响。如果反复高频率地访问同一行内存，则来自过度激活行的电荷会泄漏到相邻行中，导致位反转现象，即0反转为1，1反转为0。
规避方法
一种简单有效的方法是提高 DRAM 的刷新率，刷新率越高，在刷新周期内的读写次数越少，从而减少出现 Row Hammer 的概率。提高刷新率的缺点是会干扰 DRAM 的访问，减慢系统速度，同时增加内存的功耗。
其他规避方法：
- ECC（error corrected code），缺点也是会降低系统访问速度，同时增加成本。
- PARA（probabilistic adjacent row activation），PARA技术的主要原理是每当一个行关闭时，内存控制器都会以一定的概率来刷新该行邻接行的值
- TRR（target row refresh），这种技术采用了一种特殊模块，从而可以跟踪记录内存中哪些行经常被激活，并且刷新这些激活行相邻行的值。